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BSS670S2L H6327 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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BSS670S2L H6327詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：540mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V
功率_最大：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：PG-SOT23-3
包裝：剪切帶 (CT)

BSS670S2L H6327詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：540mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V
功率_最大：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：PG-SOT23-3
包裝：Digi-Reel®

BSS670S2L H6327詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT23
系列：OptiMOS™
制造商：Infineon Technologies
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續漏極333Id4440a025000C：540mA
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫歐 @ 270mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V
功率_最大：360mW
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應商設備封裝：PG-SOT23-3
包裝：帶卷 (TR)

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